InGaAs PIN光电探测器
InGaAs PIN光电探测器是一种通过在InGaAs组分材料构成的PN结中间增加本征层I层增强电子和空穴的辐射捕获效率，进而提高光电转换效率和响应速度的半导体光电转换器件，具有良好的光电转换线性度，以及高灵敏度、快速响应、宽频带测量和低噪声等优点。
关键特性
高灵敏度、快速响应、宽频带、低噪声、高可靠性
应用领域
光纤通讯、光纤传感、遥感测量
- 技术规格
- 应用案例
技术规格
| 项目 | 参数 | |
| 工作波长 | 1100 nm~1650 nm | |
| 电流响应度 | @1310nm | ≥0.85A/W |
| @1550nm | ≥0.90A/W | |
| 暗电流 | ≤0.5nA | |
| 接收光功率 | ≤10.0mW | |
| 电容@1MHz | ≤0.65pF | |
| 反向电压 | ≤25V | |
| 正向电流 | ≤10mA | |
| 反向电流 | ≤5mA | |
| 尾纤类型 | SMF，单模光纤 | |
| 尾纤包层直径 | 80μm或125μm | |
| 工作温度 | -40℃~ +85℃ | |
| 贮存温度 | -55℃~ +85℃ | |
应用案例
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